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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB15,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB15,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB15,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMB15,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMB15,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Nexperia USA Inc.、分类为晶体管—双极 (BJT)—阵列—预偏置的型号PEMB15,115,是一种集成了预偏置电阻的双极型晶体管阵列器件,常用于需要简化电路设计、提高稳定性和减少外部元件数量的应用场景。 该器件主要适用于以下领域: 1. 电源管理和开关电路:由于其内置偏置电阻,可直接用于逻辑信号驱动晶体管开关,适用于DC-DC转换器、负载开关和电源控制模块。 2. 工业自动化与控制:可用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器驱动、传感器接口等工业控制系统中,实现信号放大和开关控制。 3. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等便携设备中的LED驱动、按钮控制和电源切换电路。 4. 汽车电子:适用于车载控制系统,如车身控制模块(BCM)、灯光控制、风扇驱动等,满足汽车电子对可靠性和稳定性的要求。 5. 通信设备:用于基站、路由器、交换机等通信设备中的信号处理和接口控制电路。 PEMB15,115封装小巧、集成度高,有助于节省PCB空间并提升系统可靠性,适合高密度和高稳定性需求的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMB15,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMB15,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058911115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMB15 T/R |
| 频率-跃迁 | - |