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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB1,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB1,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMB1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMB1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB1,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个共发射极 NPN 晶体管,各集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁=10 kΩ,R₂=10 kΩ),实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:用于微控制器(如ARM、AVR、PIC)GPIO端口与5V/3.3V外设间的信号缓冲及电平适配,简化电路设计; 2. LED驱动与指示灯控制:可直接驱动中低电流LED(Ic ≤ 100 mA),常用于面板指示、状态显示等消费电子设备; 3. 开关电源中的辅助控制电路:在DC-DC转换器或LDO的使能(EN)、故障反馈(FAULT)等低速控制路径中作信号开关; 4. 工业I/O模块输入/输出调理:配合光耦或继电器驱动电路,实现PLC数字输入隔离后的信号整形或输出级推挽驱动; 5. 电池供电设备的低功耗唤醒检测:利用其低输入阈值与稳定开关特性,构建按键唤醒、传感器中断信号调理电路。 该器件采用SOT-363(SC-70-6)小型封装,具备高可靠性、一致的开关特性及宽工作温度范围(−65°C 至 +150°C),适用于空间受限、成本敏感且需快速部署的嵌入式系统。注意其非功率器件,不适用于电机驱动或大电流负载直驱。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMB1,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMB1,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056869115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMB1 T/R |
| 频率-跃迁 | - |