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Datasheet下载- 型号： PDZ4.7B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PDZ4.7B,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDZ4.7B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDZ4.7B,115价格参考。NXP SemiconductorsPDZ4.7B,115封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 4.7V 400mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载PDZ4.7B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDZ4.7B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDZ4.7B,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款表面贴装（SOD-323 封装）单齐纳二极管，标称稳压值为 4.7 V（典型值），容差 ±5%，最大功率耗散为 250 mW。其主要应用场景包括： 1. 低功耗电压基准与稳压：适用于便携式设备（如蓝牙耳机、可穿戴设备、传感器节点）中为微控制器、ADC 或参考电压源提供稳定、低噪声的 4.7 V 基准电压。 2. 过压保护与箝位电路：常用于 I/O 端口或信号线的静电放电（ESD）防护和瞬态电压抑制（TVS 辅助箝位），将异常电压限制在安全范围，防止后级芯片（如 GPIO、通信接口）损坏。 3. 电源轨监控与反馈：在低压 LDO 或 DC-DC 转换器的反馈网络中，配合电阻分压实现精确输出电压设定；亦可用于简单电源 OK 检测（如监测 5 V 输入是否跌落至 4.7 V 以下）。 4. 低成本模拟电路偏置：在运算放大器、比较器等模拟前端中提供固定偏置点或温度补偿参考（需注意其温漂约 -2.5 mV/°C）。 该器件具有优异的长期稳定性、低漏电流（IR < 1 µA @ 1 V）及 AEC-Q200 兼容性（部分批次），因此也常见于汽车电子中的车身控制模块（BCM）、照明驱动等非安全关键场景。因其小尺寸与高可靠性，广泛用于空间受限且成本敏感的消费类与工业嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 400MW SOD323稳压二极管 400mW 4.7V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PDZ4.7B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDZ4.7B,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | 568-6453-6 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 封装/箱体 | SC-76 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | - 1.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 90 欧姆 |
| 零件号别名 | PDZ4.7B T/R |
| 齐纳电压 | 4.65 V |
