Datasheet下载- 型号： PDTC123TM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123TM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123TM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123TM,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC123TM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC123TM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC123TM,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-电阻（R₁=2.2 kΩ，R₂=10 kΩ），采用 SOT-23 小型表面贴装封装。其主要应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如 STM32、ESP32、Arduino GPIO）输出信号的电流放大，驱动 LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗指示灯等负载。 - 开关应用：作为高速、低功耗的有源开关（典型开关频率达百 kHz 级），适用于便携式设备、电池供电系统中的电源通断控制或信号选通。 - 传感器信号调理前端：在简单传感电路中用作电平整形或弱信号缓冲，例如与光敏电阻、霍尔开关等配合实现开关式检测。 - 消费电子与家电控制板：广泛用于打印机、机顶盒、智能照明、遥控接收模块等设备的输入/输出端口保护与信号隔离。 该器件具备低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）、高直流电流增益（hFE ≈ 160）、内置偏置电阻简化外围设计、节省 PCB 面积及降低 BOM 成本，特别适合空间受限、对可靠性与一致性要求较高的中低功率开关场景。不适用于线性放大、高频射频或大电流（>100 mA）连续工作场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC123TM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 934059931315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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