Datasheet下载- 型号： PDTC123TE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123TE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123TE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123TE,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC123TE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC123TE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC123TE,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（内置偏置电阻的 NPN 型双极结型晶体管，BRT），集成了基极-发射极间 2.2 kΩ 上拉电阻和基极-集电极间 10 kΩ 反馈电阻（即 R1=2.2 kΩ，R2=10 kΩ），具备“预偏置”特性，可直接由低压逻辑信号（如 3.3 V 或 5 V）驱动，无需外接偏置电阻。 典型应用场景包括： ✅ 数字开关控制：广泛用于微控制器（MCU）、FPGA 或逻辑电路驱动LED、小型继电器、蜂鸣器、指示灯等负载； ✅ 电平转换与信号缓冲：在不同电压域间实现简易单向电平适配（如1.8 V/3.3 V GPIO驱动5 V负载）； ✅ 低功耗便携设备：因其高直流电流增益（hFE ≈ 100 @ IC = 10 mA）、低饱和压降（VCE(sat) < 0.15 V）及SOT-23小封装，适用于电池供电的IoT传感器节点、可穿戴设备及消费电子； ✅ 替代传统分立BJT+电阻方案：简化PCB设计、减少元件数量、提升装配可靠性与一致性，常用于成本敏感、空间受限的量产产品中。 该器件工作结温范围为−65°C 至 +150°C，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（部分批次），亦可用于工业控制、家电（如电机启停检测、面板按键扫描）等中低功率开关场景。注意其最大集电极电流为100 mA（连续），不适用于大电流或线性放大应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC123TE,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 934059936115 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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