Datasheet下载- 型号： PDTA115TM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA115TM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA115TM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA115TM,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA115TM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA115TM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PDTA115TM,315是一款PNP型预偏置双极结型晶体管（BRT），内置100kΩ基极-发射极上拉电阻（R₁）和100kΩ基极-集电极下拉电阻（R₂），即典型1:1电阻比配置（15V耐压，I₅ₘₐₓ=100mA，hFE≈160）。其核心优势在于简化电路设计、减少外围元件数量，适用于低功耗、空间受限的数字开关与信号电平转换场景。 典型应用场景包括： ✅ 微控制器（MCU）GPIO驱动——直接连接MCU输出引脚，驱动LED指示灯、小型蜂鸣器或继电器线圈，无需外接偏置电阻； ✅ 逻辑电平转换/反相缓冲——实现3.3V/5V系统与5V/12V负载间的电平适配与信号反相，如将MCU低电平有效信号转换为高电平有效控制； ✅ 电池供电设备中的电源管理——用于便携式仪器、IoT传感器节点中，控制LDO使能、背光开关或负载开关，降低静态电流（I₆ₑₐₖ < 100nA）； ✅ 工业控制输入接口——作为抗干扰的数字输入缓冲器，配合上拉/下拉配置，提升对噪声和接触抖动的鲁棒性。 该器件采用SOT323超小型封装（2.1×1.35×0.95mm），支持无铅回流焊，符合AEC-Q101车规可靠性标准（部分批次），亦广泛用于消费电子、白色家电及通信模块。需注意其PNP特性：导通时需基极相对发射极为负电压（如MCU输出低电平使其导通），设计时应匹配控制逻辑。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA115TM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-2113-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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