Datasheet下载- 型号： PDTA115TE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA115TE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA115TE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA115TE,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA115TE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA115TE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA115TE,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极电阻（R₁=100 kΩ，R₂=100 kΩ），具备集成偏置网络，可简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与开关控制：适用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）I/O口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，无需外接偏置电阻； 2. 负载开关电路：在便携式设备（如智能穿戴、IoT传感器节点）中用作低功耗、小电流（ICmax=100 mA）的电源通断控制； 3. 信号调理与接口保护：在工业控制板或通信模块中作为输入缓冲/反相器，利用其内置电阻提升抗干扰能力与ESD鲁棒性（符合IEC61000-4-2 Level 3）； 4. 电池供电设备的省电设计：低饱和压降（VCE(sat)典型值0.15 V @ 10 mA）和高直流电流增益（hFE=160–450），有助于降低功耗、延长电池寿命； 5. 空间受限的高密度PCB设计：采用超小型SOT-323（SC-70）封装（尺寸约2.0×2.1×0.9 mm），适合紧凑型消费电子及可穿戴产品。 该器件工作温度范围为−65°C至+150°C，满足工业级可靠性要求，广泛用于汽车电子（非安全关键系统）、家电控制板、无线模块及各类嵌入式终端。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA115TE,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-2111-6 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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