Datasheet下载- 型号： PDTA115EM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA115EM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA115EM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA115EM,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA115EM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA115EM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PDTA115EM,315是一款PNP型预偏置双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极电阻（R1=100 kΩ）和基极-集电极电阻（R2=100 kΩ），采用SOT-363（SC-88）小型封装。其典型应用场景包括： - 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于微控制器（如MCU、FPGA）GPIO引脚驱动LED、小型继电器或低功耗负载，简化外围电路（无需外接偏置电阻）； - 高边开关应用：作为PNP结构的高侧开关，控制电源至负载（如传感器、指示灯）的通断，配合上拉/下拉配置实现可靠关断； - 电池供电设备中的省电控制：低输入电流（典型IBIAS ≈ 5 µA @ VBE=−5 V）支持低功耗待机管理，适用于便携式仪器、IoT终端及可穿戴设备； - 信号反相与简单逻辑功能：在非关键时序场合实现反相器或“线与”逻辑，提升系统集成度； - 汽车电子辅助电路：符合AEC-Q101标准，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）中的状态指示、传感器使能等非安全关键功能。 该器件凭借集成电阻、小尺寸、高可靠性及宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C），显著减少PCB面积与BOM成本，适用于空间受限、需快速设计投产的中低速开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA115EM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-2108-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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