Datasheet下载- 型号： PDTA114TK,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114TK,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114TK,135价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114TK,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA114TK,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA114TK,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA114TK,135 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（Digital Transistor, DTR），属于带内置偏置电阻的NPN型预偏置双极结型晶体管（BRT）。其内部集成一个10kΩ输入电阻（R1）和一个10kΩ基极-发射极下拉电阻（R2），构成经典的1:1分压偏置结构，实现“1-in-1-out”逻辑开关功能。 典型应用场景包括： ✅ 微控制器（MCU）I/O口驱动：直接接收3.3V/5V TTL/CMOS电平信号，无需外接偏置电阻，简化PCB设计，提高可靠性； ✅ LED驱动电路：用于中小电流（≤100mA）指示灯、背光或状态灯控制，具备快速开关与良好饱和特性； ✅ 继电器/小功率负载开关：驱动线圈电流≤100mA的信号继电器或蜂鸣器等感性负载（建议并联续流二极管）； ✅ 电平转换与信号缓冲：在不同电压域间（如5V→3.3V系统接口）实现简易单向电平适配； ✅ 消费电子与工业控制板：广泛应用于打印机、家电主控板、电源管理模块、传感器接口等对成本、尺寸和可靠性敏感的场合。 该器件采用SOT323（SC-70）小型表面贴装封装，适合高密度布局；具备±500mW功耗能力、30V VCEO、100mA IC额定值，支持-65℃~+150℃工作温度范围，符合AEC-Q101（汽车级）标准，亦适用于工业及汽车电子环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA114TK,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | 568-2102-6 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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