Datasheet下载- 型号： PDTA113EU,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA113EU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA113EU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA113EU,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA113EU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA113EU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA113EU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极电阻（R1=10 kΩ，R2=10 kΩ），采用 SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）I/O口与外部负载（LED、继电器、小功率MOSFET栅极）之间的信号缓冲与电流放大，简化外围偏置电路设计； 2. LED驱动电路：可直接由3.3V或5V逻辑电平驱动，实现恒流/开关控制，广泛应用于消费电子背光、状态指示灯等； 3. 低功耗开关应用：适用于电池供电设备（如IoT传感器节点、便携式仪表）中对功耗敏感的信号通断控制； 4. 输入信号调理与电平检测：配合上拉/下拉电阻构成简易施密特触发器或电压阈值检测单元； 5. 替代传统分立偏置BJT方案：节省PCB面积与BOM成本，提升生产良率与可靠性。 该器件具有高直流电流增益（hFE = 30–150 @ IC = 10 mA）、低饱和压降（VCE(sat) < 0.15 V @ IC = 10 mA）、快速开关特性（tf < 25 ns），并符合AEC-Q100（汽车级）及RoHS标准，亦可用于工业控制和汽车电子中的非安全关键信号开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA113EU,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTA113EU,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 1.5mA，30mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 40mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934058794115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTA113EU T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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