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  • 型号: PD84010TR-E
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PD84010TR-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD84010TR-E价格参考。STMicroelectronicsPD84010TR-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PD84010TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PD84010TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的PD84010TR-E是一款射频MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于射频功率晶体管类别,广泛应用于高频信号放大和射频功率处理场景。该器件适用于工业、科学和医疗(ISM)频段的射频系统,常见于2.4 GHz频段的应用,如无线通信设备、Wi-Fi模块、蓝牙系统和射频识别(RFID)等。

PD84010TR-E具备良好的功率增益和效率表现,适合用于低至中等功率的射频放大电路,尤其在需要高稳定性和可靠性的无线传输系统中表现出色。其封装形式(如SOT-23)小巧紧凑,便于集成在空间受限的便携式或嵌入式设备中,例如小型无线传感器网络节点、物联网(IoT)终端设备以及无线音频/视频传输模块。

此外,该器件也可用于射频激励器、驱动级放大器及低噪声发射链路设计中,满足对功耗敏感和高性能兼具的应用需求。得益于STMicroelectronics在功率半导体领域的技术积累,PD84010TR-E在热稳定性、抗干扰能力和长期可靠性方面具有优势,适合在工业环境和消费类电子产品中使用。

综上所述,PD84010TR-E主要应用于无线通信、物联网、智能家居设备和短距离射频传输系统中,作为关键的射频功率放大元件,提供高效、稳定的信号放大功能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS RF POWER LDMOST 10PWRSOIC

产品分类

RF FET

品牌

STMicroelectronics

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

PD84010TR-E

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

PowerSO-10RF(成形引线)

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1820/PF185314?referrer=70071840

功率-输出

2W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

16.3dB

封装/外壳

PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)

晶体管类型

LDMOS

标准包装

600

电压-测试

7.5V

电压-额定

40V

电流-测试

300mA

频率

870MHz

额定电流

8A

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