Datasheet下载- 型号： PD57060TR-E
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD57060TR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD57060TR-E价格参考。STMicroelectronicsPD57060TR-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD57060TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD57060TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD57060TR-E是一种射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高频信号放大和处理。以下是其典型应用场景： 1. 射频功率放大器：该器件适用于无线通信系统中的射频功率放大器，如基站、无线电设备和其他高频通信应用。它能够高效地放大射频信号，确保信号传输的稳定性和可靠性。 2. 工业科学医疗（ISM）频段设备：在ISM频段（如433 MHz、915 MHz等）中，PD57060TR-E可用于驱动各种无线设备，例如无线传感器网络、远程控制装置和医疗诊断设备。 3. 业余无线电：该晶体管适合用于业余无线电操作中的发射机功率放大器，提供足够的输出功率以实现远距离通信。 4. 雷达和导航系统：在需要高增益和低失真的射频信号放大的场合，例如雷达系统和卫星导航设备，此器件可以发挥重要作用。 5. 测试与测量设备：在高性能测试仪器中，如频谱分析仪或信号发生器，PD57060TR-E可用于生成和处理高质量的射频信号。 总之，PD57060TR-E以其卓越的射频性能，广泛应用于需要高效射频信号处理的各种电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PD57060TR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 10-PowerSO |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF115440?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.3dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 600 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 7A |
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