Datasheet下载- 型号： PD55035STR-E
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD55035STR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD55035STR-E价格参考。STMicroelectronicsPD55035STR-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD55035STR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD55035STR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD55035STR-E是一款射频MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），主要用于射频功率放大应用。该器件适用于工作频率在VHF/UHF频段（如30 MHz至1 GHz）的通信系统，广泛应用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备中。 典型应用场景包括：无线基础设施中的基站功率放大器、射频能量应用（如加热、照明和等离子体生成）、工业射频加热设备以及高可靠性广播发射机。此外，PD55035STR-E也适合用于陆地移动无线电（TETRA、PMR等）系统，提供高效、稳定的射频输出性能。 该器件采用先进的工艺技术，具备良好的热稳定性和高功率增益，能在较高的电压下工作（通常为50V漏极电压），同时保持较低的互调失真，有助于提升系统信号质量。其SOT-223封装形式有利于散热，适合紧凑型高功率密度设计。 总之，PD55035STR-E适用于需要高效率、高可靠性的中高频射频功率放大的工业与通信领域，是各类专业射频设备中的关键元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD55035STR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（直引线） |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.9dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 600 |
| 电压-测试 | 12.5V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 200mA |
| 频率 | 500MHz |
| 额定电流 | 7A |
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