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- 型号： PCP1203-P-TD-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PCP1203-P-TD-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PCP1203-P-TD-H价格参考。ON SemiconductorPCP1203-P-TD-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PCP1203-P-TD-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PCP1203-P-TD-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PCP1203-P-TD-H 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23表面贴装封装，具有高增益（hFE典型值150–300）、低饱和压降（VCE(sat)低至0.15V @ IC=100mA）、快速开关特性（上升/下降时间约10ns）及良好的热稳定性。其额定参数为：VCBO=60V，VCEO=45V，IC(max)=200mA，Ptot=350mW。 该器件主要应用于中小功率、高频、高效率的模拟与开关场景，典型用途包括： 1. 便携式电子设备中的负载开关（如蓝牙耳机、智能手表的LED背光驱动或传感器供电控制）； 2. DC-DC转换器的次级侧同步整流驱动或反馈环路中的信号放大/电平转换； 3. 工业与消费类电路中的信号调理与小电流放大（如MCU GPIO扩展、光电耦合器输出级、霍尔传感器接口）； 4. 电池供电系统中的低功耗电源管理（如LDO使能控制、电池电压检测通路开关）。 其SOT-23小型化封装和低导通损耗特性，特别适合空间受限、注重能效的终端应用。需注意：设计时应合理匹配基极驱动电阻以确保充分饱和，并在高温环境下留有足够安全裕量。不适用于大电流（>200mA）或高压（>45V）主功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 1.5A 30V PCP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PCP1203-P-TD-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 225mV @ 15mA，750mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 500MHz |
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