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  • 型号: PBSS5440D,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5440D,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5440D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5440D,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS5440D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5440D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS5440D,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款通用 NPN 型双极结型晶体管(BJT),具有高增益(hFE 典型值达 250–600)、低饱和压降(VCE(sat) 低至 0.14 V @ IC = 500 mA)和良好开关特性。其 SOT-666 小型表面贴装封装(尺寸仅 2.1 × 2.0 × 0.95 mm)支持高密度 PCB 设计。

典型应用场景包括:  
1. 中小功率开关控制:如 LED 驱动(背光、指示灯)、继电器/电磁阀驱动、风扇调速等,适用于 3.3 V / 5 V MCU GPIO 直接驱动;  
2. 电源管理辅助电路:用于 DC-DC 转换器中的使能控制、负载开关、过流检测电路的信号放大或隔离;  
3. 工业与消费类电子接口电路:如传感器信号调理、逻辑电平转换、脉冲整形及缓冲级放大;  
4. 电池供电设备:得益于低饱和压降与中等电流能力(IC(max) = 600 mA,IC(cont) = 500 mA),可提升能效,延长续航。

该器件工作结温范围宽(−65 °C 至 +150 °C),具备 AEC-Q101 认证(汽车级可靠性),亦适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等严苛环境。注意:不适用于高频射频放大或大功率线性放大场景,推荐用于 ≤100 MHz 的开关/中频模拟应用。设计时建议配合基极限流电阻,并在感性负载下加续流二极管以保护晶体管。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 40V 4A LOW SAT 6TSOP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PBSS5440D,115

PCN封装

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

450mV @ 600mA,6A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

175 @ 2A,2V

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

568-7323-2
934057955115
PBSS5440D T/R
PBSS5440D T/R-ND
PBSS5440D,115-ND
PBSS5440D115

功率-最大值

1.1W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-74,SOT-457

晶体管类型

PNP

标准包装

3,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

频率-跃迁

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