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  • 型号: PBSS5350D,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5350D,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5350D,135价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5350D,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS5350D,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5350D,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PBSS5350D,135 是一款双极结型晶体管(BJT),属于单晶体管配置。该器件主要适用于需要高效、高稳定性的模拟和数字电路设计中,广泛应用于以下场景:

1. 电源管理与开关电路:该晶体管具有良好的导通特性和快速开关能力,适合用于DC-DC转换器、负载开关及电池供电设备中的功率控制。

2. 放大电路:由于其优异的电流增益特性,可用于音频放大器或信号放大电路中,作为前置放大或驱动级使用。

3. 汽车电子系统:该器件符合汽车行业标准,适用于车载充电系统、LED照明控制、传感器接口以及车身控制模块等场景。

4. 工业控制与自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)、继电器驱动、电机控制等工业应用中,PBSS5350D,135 可作为关键的开关元件。

5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等,用于电源切换、背光调节、外围设备驱动等功能模块。

该晶体管采用小型DFN封装,具有低饱和压降和高可靠性,适合高密度PCB布局,并能在较宽温度范围内稳定工作,满足多种高性能应用场景需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 50V 3A 6TSOP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PBSS5350D,135

PCN封装

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 2A,2V

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

568-10386-2
934055946135
PBSS5350D /T3
PBSS5350D /T3-ND
PBSS5350D,135-ND

功率-最大值

750mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-74,SOT-457

晶体管类型

PNP

标准包装

10,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

频率-跃迁

100MHz

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