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Datasheet下载- 型号： PBSS5130PAP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBSS5130PAP,115产品简介：
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PBSS5130PAP,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT1118（DFN2020-6）小型无引脚封装，内含两个独立的 NPN 晶体管，具备高增益（hFE 典型值 300@IC=50mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 100mV@IC=100mA, IB=10mA）及30V集电极-发射极击穿电压（VCEO）。其紧凑尺寸与良好热性能适用于空间受限的便携式与高密度电路设计。 典型应用场景包括： 1. LED 驱动：驱动中小功率背光LED或指示灯，双管结构可分别控制多路LED或实现PWM调光； 2. 逻辑电平转换与信号切换：在MCU（如ARM Cortex-M系列）与外围器件间提供电平适配与开关缓冲； 3. 电源管理辅助电路：用于负载开关、电池充放电路径控制、使能信号分配等中低电流（≤100mA）开关场景； 4. 传感器接口与信号调理：作为前置放大或开关级，配合温度、霍尔等模拟传感器提升驱动能力； 5. 工业I/O模块：在PLC数字输入/输出端子板中实现隔离后的信号放大与驱动。 该器件不适用于大功率开关或高频射频应用，但凭借低功耗、高可靠性及AEC-Q100兼容潜力（部分批次），亦常见于车载信息娱乐系统、智能家电及IoT终端设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 30V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 30V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5130PAP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5130PAP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 280mV @ 50mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 170 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10206-6 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 125 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 350 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 85 mV |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 125MHz |
