Datasheet下载- 型号： PBSS5112PAP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5112PAP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5112PAP,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5112PAP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS5112PAP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5112PAP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PBSS5112PAP,115 是一款双极型晶体管 (BJT) 阵列，广泛应用于需要高效开关和信号放大的场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关应用：PBSS5112PAP,115 可用于直流-直流转换器、稳压器等电路中的开关元件，实现高效的电源切换。 - 负载控制：在需要精确控制电流或电压的应用中（如 LED 驱动或小型电机控制），这款 BJT 阵列可以提供稳定的性能。 2. 信号放大 - 音频设备：可用于低功率音频放大器中，处理小信号的放大任务，例如耳机驱动或麦克风前置放大。 - 传感器信号增强：在工业自动化或物联网设备中，该晶体管阵列可用于放大传感器输出的微弱信号。 3. 逻辑电平转换 - 在混合信号系统中，PBSS5112PAP,115 能够将低电压逻辑信号（如来自微控制器的信号）转换为更高电压或电流的输出信号，以驱动其他外设。 4. 电机驱动与控制 - 小型电机控制：适用于玩具、家用电器中的小型直流电机驱动，通过 PWM（脉宽调制）控制电机速度。 - 继电器驱动：能够驱动电磁继电器或其他低功率电磁装置。 5. 保护电路 - 过流保护：利用其开关特性设计过流保护电路，防止下游电路因过载而损坏。 - 短路保护：在某些应用中，可以通过快速响应切断异常电流路径。 6. 通信设备 - 在低频通信电路中，该 BJT 阵列可以用作信号调制或解调的核心元件。 7. 消费电子 - 键盘矩阵扫描：在计算机键盘或其他输入设备中，用于扫描按键状态并生成对应的信号。 - 背光调节：用于调节 LCD 或 OLED 显示屏的背光亮度。 总结 PBSS5112PAP,115 的主要优势在于其高集成度和可靠性，适合需要多个独立 BJT 的应用场合。它能够在紧凑的空间内实现多种功能，是现代电子设备中不可或缺的元件之一。具体使用时需根据实际电路需求选择合适的偏置条件和外围元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 120V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 120V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5112PAP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5112PAP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 480mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 500mA， 2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10205-1 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 1.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 305 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 190 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 150 mV |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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