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  • 型号: PBSS4140V,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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PBSS4140V,115产品简介:

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PBSS4140V,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),具有高增益(hFE 典型值 250@100mA, 2V)、低饱和压降(VCE(sat) 低至 0.15V@100mA/10mA)、高开关速度及 SOT666 超小型封装。其典型应用场景包括:

- 中小功率开关电路:如 LED 驱动、继电器控制、小型电机启停等,得益于低饱和压降与快速开关特性,可提升能效并减少发热;  
- 便携式电子设备电源管理:在智能手机、可穿戴设备、TWS 耳机等中用于负载开关、背光控制或电池保护电路中的信号放大与通断控制;  
- 工业传感器接口与信号调理:作为电流放大级,驱动光电耦合器、霍尔传感器输出或调理微弱模拟信号;  
- 汽车电子辅助模块:符合 AEC-Q101 可靠性标准(注:需确认具体批次是否通过车规认证;PBSS4140V 系列有车规型号变体),适用于车身控制单元(BCM)中的非安全关键负载切换,如车窗升降指示灯、阅读灯控制等;  
- 消费类家电控制板:如智能插座、小家电(电饭煲、空气净化器)的 MCU 输出驱动级,实现逻辑电平到负载电流的可靠转换。

该器件工作结温范围宽(−65°C 至 +150°C),ESD 防护能力强(HBM ≥ 8kV),适合空间受限、对可靠性与效率均有要求的中低功率通用放大与开关场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 40V 1000MA SOT666

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PBSS4140V,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

440mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

300 @ 500mA,5V

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

568-7291-1

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

晶体管类型

NPN

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

频率-跃迁

150MHz

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