Datasheet下载- 型号： PBSS302ND,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS302ND,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS302ND,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS302ND,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS302ND,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS302ND,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS302ND,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。以下是该型号的应用场景分析： 1. 开关应用 - 电源管理：PBSS302ND,115 可用于简单的开关电路中，例如控制 LED、继电器或小型电机的通断。其低饱和电压特性使其在高效开关应用中表现良好。 - 信号切换：在需要快速切换信号的场景中，该晶体管可以作为信号路径的开关，适用于音频设备或数据传输线路。 2. 放大应用 - 音频放大器：该晶体管可用于小型音频放大器的设计，例如耳机放大器或麦克风前置放大器。它能够提供稳定的增益和良好的线性度。 - 传感器信号放大：在工业自动化或物联网设备中，PBSS302ND,115 可用于放大来自传感器（如温度传感器、压力传感器）的微弱信号。 3. 驱动应用 - 小功率电机驱动：适合驱动小型直流电机或步进电机，尤其是在低功耗和低成本的设计中。 - LED 驱动：可用于高亮度 LED 的恒流驱动电路，确保 LED 在稳定电流下工作，延长其寿命。 4. 保护电路 - 过流保护：通过设计限流电路，PBSS302ND,115 可以用作过流保护元件，防止后端电路因电流过大而损坏。 - 热保护：结合温度检测电路，该晶体管可以在过热情况下切断负载电流，保护系统安全。 5. 通信设备 - 调制解调电路：在低频通信设备中，该晶体管可以用作调制或解调的核心元件。 - 射频前端：尽管不是高频专用器件，但在某些低频射频应用中，PBSS302ND,115 仍可发挥一定作用。 总结 PBSS302ND,115 主要适用于低功耗、小信号处理以及中小功率驱动的场景。其典型应用场景包括开关电路、信号放大、电机驱动、LED 控制和保护电路等。由于其性能稳定且成本较低，非常适合消费电子、工业控制和汽车电子等领域中的基础电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 40V 4A LOW SAT 6TSOP两极晶体管 - BJT NPN 40V 4A LOW SAT |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS302ND,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS302ND,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 450mV @ 600mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 2A，2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=9367 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-4151-1 |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 360 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 15 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 at 0.5 A at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 零件号别名 | PBSS302ND T/R |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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