ICGOO在线商城 > PBSS2540E,115
Datasheet下载- 型号： PBSS2540E,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PBSS2540E,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS2540E,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PBSS2540E,115价格参考以及NXP SemiconductorsPBSS2540E,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PBSS2540E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PBSS2540E,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS2540E,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管（BJT），具有高增益（hFE 典型值 250@Ic=200mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 100 mV @ Ic=200mA, Ib=20mA）和良好热稳定性，采用小型 SOT-23 表面贴装封装。 该器件主要面向中等电流、高频开关及线性放大应用，典型应用场景包括： ✅ DC-DC 转换器中的开关管（如升压/降压电路的功率开关或驱动级），因其低 VCE(sat) 可提升转换效率； ✅ LED 驱动电路——用于恒流控制或 PWM 调光开关，支持最高约 400 mA 的连续集电极电流（IC = 400 mA, Tj ≤ 150°C）； ✅ 微控制器（MCU）或逻辑电路的负载驱动接口，例如驱动继电器、小型电磁阀、蜂鸣器或小功率电机（需配合续流二极管）； ✅ 信号放大与电平转换（如传感器信号调理、I/O 扩展缓冲），适用于低噪声、中频（fT ≈ 160 MHz）场景； ✅ 电池供电设备的电源管理模块（如便携式医疗设备、IoT 传感器节点），得益于其低功耗特性和小尺寸封装，节省 PCB 空间。 注意：该器件非功率级器件，不适用于大电流（>500mA）或高压（VCEO=40V）主开关场合。设计时需确保散热条件满足功耗要求（Ptot=420 mW），并合理设置基极驱动以避免过驱动或热失效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 40V .5A LOW SAT SC75两极晶体管 - BJT LOW VCESAT (BLISS) |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS2540E,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS2540E,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-6861-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 450 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SMPAK |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 10 mA at 2 V, 100 at 100 mA at 2 V, 50 at 500 mA at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 零件号别名 | PBSS2540E T/R |
| 频率-跃迁 | 450MHz |
