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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSM5240PFH,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSM5240PFH,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSM5240PFH,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSM5240PFH,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSM5240PFH,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PBSM5240PFH,115 是一款专为高可靠性与高性能设计的特殊用途晶体管,采用无铅、符合RoHS标准的SOT1118D(LFPAK56)封装。该器件基于先进的MOSFET技术,具备低导通电阻、优良的热性能和高功率密度,适用于对空间和效率要求较高的应用场景。 主要应用包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统,尤其适合笔记本电脑、平板电脑和超薄消费电子产品中的高效能电源模块。 2. 电池管理系统(BMS):在便携式设备和电动工具中,用于电池充放电控制与保护电路,提供快速响应和低功耗运行。 3. 热插拔与过流保护电路:因其优异的开关特性和耐压能力,常用于服务器、通信设备和工业控制系统中的热插拔控制器,防止电流冲击损坏主板。 4. LED背光驱动:在液晶显示设备中作为开关元件,实现精确的亮度调节和节能控制。 5. 汽车电子:适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等非动力系统,满足AEC-Q101可靠性标准的部分严苛环境需求。 PBSM5240PFH,115凭借其紧凑封装和高效性能,在需要小型化、高集成度和稳定可靠性的现代电子设备中具有重要价值,特别适合空间受限但要求高性能的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | TRANS PNP/N CH 40V 1.8A 6HUSONMOSFET 40V 2A PNP Trans N-chan Trench MOSFET |
| 产品分类 | 晶体管 - 专用型分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.8 A, 660 mA |
| Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PBSM5240PFH,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSM5240PFH,115 |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W, 760 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| Qg-GateCharge | 0.89 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.89 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 340 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 580 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V, 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 下降时间 | 4.5 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON(2X2) |
| 其它名称 | 568-10514-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 晶体管类型 | PNP,N 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-额定 | 40V PNP,30V N 通道 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with BISS |
| 额定电流 | 1.8A PNP,660mA N 通道 |