Datasheet下载- 型号： PBLS6023D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS6023D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS6023D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS6023D,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBLS6023D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS6023D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS6023D,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个独立的 NPN 晶体管，各集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=47 kΩ，R₂=47 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑接口电平转换与驱动：适用于微控制器（如ARM、PIC、ESP系列）GPIO口直接驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或光耦输入端，简化电路并提升响应速度。 - 板载电源管理中的负载开关：在低功耗设备中用作受控电源通断开关，配合MCU实现外设供电的动态启停，降低待机功耗。 - 工业与消费类电子中的信号调理与缓冲：用于传感器信号（如开关量、编码器输出）的整形、隔离与电流增强，提高抗干扰能力与驱动裕量。 - 汽车电子辅助电路：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次认证），可用于车身控制模块（BCM）中车灯状态指示、按键扫描、小功率执行器驱动等非安全关键场景。 该器件采用SOT-363（SC-70-6）微型封装，节省PCB面积；具备±8 kV HBM ESD防护，适合高噪声环境；工作温度范围为−55°C至+150°C，适应宽温应用。典型应用无需额外偏置电阻，可显著减少元件数量、BOM成本与设计复杂度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS6023D,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 260mV @ 100mA， 1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 140 @ 1A，2V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 934061571115 |
| 功率-最大值 | 760mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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