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- 型号： PBLS6005D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PBLS6005D,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS6005D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PBLS6005D,115价格参考￥0.37-￥0.37以及NXP SemiconductorsPBLS6005D,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PBLS6005D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PBLS6005D,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS6005D,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-电阻（R₁=10 kΩ，R₂=4.7 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO输出驱动LED、小型继电器或光耦输入端，简化电路并提升响应速度； - 低功耗开关应用：凭借低饱和电压（VCE(sat)典型值仅0.1 V @ IC=10 mA）和较小封装（SOT-666），广泛用于便携式设备、IoT传感器节点中的信号切换与负载控制； - 冗余/双通道信号处理电路：双晶体管共封装结构节省PCB面积，适用于需并行控制（如H桥预驱、双路状态指示、AB类信号选通）的紧凑型设计； - 工业与消费类电子中的基础放大/开关模块：如打印机传感器信号调理、家电面板按键扫描、LED背光分组控制等对成本、可靠性及设计简洁性要求较高的场合。 该器件支持-65°C至+150°C宽温工作，具备ESD防护（HBM >8 kV），符合AEC-Q101车载标准（部分批次），亦可用于汽车电子非安全关键子系统（如信息娱乐外围接口）。整体以高集成度、稳定开关特性及易用性，服务于中低功率、高密度嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS6005D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 340mV @ 100mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V / 150 @ 500mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7253-1 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，700mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 185MHz |
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