Datasheet下载- 型号： PBLS4003V,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS4003V,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS4003V,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS4003V,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBLS4003V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS4003V,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS4003V,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-电阻（R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），实现免外部偏置设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO口直接驱动LED、小型继电器或光耦输入端，简化电路并提升响应速度。 2. LED驱动与指示电路：常用于消费电子（如电视遥控器、智能家电面板）、工业HMI设备中的多路LED状态指示，节省PCB空间并降低BOM成本。 3. 信号开关与缓冲应用：在通信模块（如UART、I²C总线增强）、传感器信号调理电路中用作低速开关或电平整形缓冲器（DC–100 MHz范围内适用）。 4. 汽车电子基础功能模块：符合AEC-Q101标准，可用于车身控制单元（BCM）中的车灯控制、按钮检测、风扇控制等非安全关键型低压开关场景。 该器件采用SOT666封装（超小尺寸，2.1×1.8×0.95 mm），支持高密度贴装；具备±8 kV HBM ESD防护，工作温度范围−55°C至+150°C，兼具可靠性与设计简洁性。注意：不适用于高频放大或大功率开关场景（最大Ic=100 mA，Ptot=350 mW）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS4003V,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 350mV @ 50mA， 500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7240-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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