Datasheet下载- 型号： PBLS2002S,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS2002S,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS2002S,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS2002S,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBLS2002S,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS2002S,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS2002S,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ），实现内置偏置，无需外接偏置电阻。其小尺寸 SOT-363（SC-70-6）封装、低功耗特性及高可靠性，使其广泛应用于空间受限、需简化设计的中低速数字与模拟接口场景。 典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与缓冲：在微控制器（如ARM、MCU）I/O口与外部负载（LED、继电器、传感器）之间提供电流放大与电平适配； 2. LED驱动：直接驱动单颗或多颗小功率LED（最大连续集电极电流 IC = 100 mA/通道），常用于状态指示、背光控制； 3. 开关电源辅助电路：用作PWM信号隔离驱动、反馈回路中的光电耦合器输入级或MOSFET栅极预驱动； 4. 工业I/O模块：在PLC数字输入/输出端子板中实现信号整形、噪声抑制及电气隔离前端； 5. 消费电子接口保护：配合TVS器件用于USB、按键、复位等信号线的ESD防护与电平整形。 该器件工作温度范围为 -65°C 至 +150°C，符合AEC-Q101（汽车级）标准，亦适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等车规应用。其预偏置结构显著减少PCB面积与BOM成本，提升量产一致性与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 8SO |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS2002S,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 355mV @ 300mA， 3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-7229-6 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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