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  • 型号: PBHV9115Z,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBHV9115Z,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBHV9115Z,115价格参考。NXP SemiconductorsPBHV9115Z,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBHV9115Z,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBHV9115Z,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 1A 150V SOT223两极晶体管 - BJT TRANS HV BISS TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBHV9115Z,115-

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产品型号

PBHV9115Z,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 100mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 100mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-7216-2
934061412115
PBHV9115Z T/R
PBHV9115Z T/R-ND
PBHV9115Z,115-ND

功率-最大值

1.4W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

115 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SC-73

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

700 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

150V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

100 at 50 mA at 10 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 150 V

集电极—基极电压VCBO

200 V

集电极连续电流

- 1 A

零件号别名

PBHV9115Z T/R

频率-跃迁

115MHz

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