Datasheet下载- 型号： P6SMB82AT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB82AT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB82AT3G价格参考。ON SemiconductorP6SMB82AT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载P6SMB82AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有P6SMB82AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
P6SMB82AT3G是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于SMB封装、单向、击穿电压标称值为82V的高可靠性TVS器件。其典型应用场景包括： - 电源输入端口保护：广泛用于工业控制、通信设备、智能电表等产品的直流电源输入（如12V/24V/48V系统），防止雷击感应浪涌、开关噪声或负载突变引起的瞬态过压（如IEC 61000-4-5 Level 3/4）。 - 信号线与接口防护：适用于RS-485、CAN总线、传感器接口等中低速通信线路，配合前端限流电阻，抑制ESD（±30kV接触放电，符合IEC 61000-4-2）及EFT（电快速瞬变脉冲群）干扰。 - 汽车电子辅助应用：虽非AEC-Q200认证型号，但在非安全关键的车载附件（如车载充电器、LED驱动模块）中，可提供基本的负载突降（Load Dump）抑制（需配合TVS阵列或更高耐量器件协同设计）。 - 消费类与家电产品：用于打印机、POS机、家用安防设备等内部DC-DC转换器输出侧，防止反向电动势或耦合浪涌损坏后级IC（如MCU、LDO、MOSFET驱动器）。 该器件具有低钳位电压（典型113V@2.7A）、快速响应（<1ps）、高浪涌功率（600W, 10/1000μs波形）等特点，适合空间受限且需高性价比静电与浪涌防护的中低端应用。设计时需注意PCB布局（短而宽走线、就近接地）、避免与被保护IC间存在寄生电感，并校核其最大钳位电压是否满足下游器件的绝对最大额定值要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 70.1VWM 113VC SMBTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 82V 600W Unidirectional |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor P6SMB82AT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | P6SMB82AT3G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同频率时的电容 | 260pF @ 1MHz |
| 产品种类 | Diodes- TVS |
| 供应商器件封装 | SMB |
| 其它名称 | P6SMB82AT3GOS |
| 击穿电压 | 77.9 V |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 封装/箱体 | DO-214AA |
| 尺寸 | 3.56 mm W x 4.32 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 5.3 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 70.1 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-击穿（最小值） | 77.9V |
| 电压-反向关态（典型值） | 70.1V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 113V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 5.3A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | P6SMB6.8AT3G |
| 钳位电压 | 113 V |
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