【未分类_P6SMB75AT3G】封装/厂家_P6SMB75AT3G中文资料_价格

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型号： P6SMB75AT3G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB75AT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB75AT3G价格参考。ON SemiconductorP6SMB75AT3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载P6SMB75AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有P6SMB75AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

P6SMB75AT3G是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于SMB封装的单向TVS器件，击穿电压典型值为75V（VRWM=64.4V，VBR≈71.3–78.8V），峰值脉冲功率达600W（10/1000μs波形）。

其主要应用场景包括：  
- 电源输入端口保护：用于工业控制、通信设备、安防系统等的DC电源输入（如24V/48V系统），防止雷击感应浪涌、开关噪声或负载突变引起的瞬态过压损坏后级电路（如LDO、DC-DC转换器、MCU）。  
- 信号线与接口防护：在RS-485、CAN总线、传感器接口等中低速通信线路中，配合共模扼流圈提供差模/共模浪涌抑制（需注意单向特性适用于直流偏置线路）。  
- 消费电子与家电：适配器输入、电机驱动板、智能电表等对成本与可靠性要求较高的场合，提供IEC 61000-4-2（±30kV接触放电）及IEC 61000-4-5（Line-Ground 4kV）等级的基础防护。  

该器件具有响应快（<1ns）、钳位电压低（VC≈121V @ IPP=4.9A）、结电容小（≈150pF），适合中等能量冲击防护；但不适用于高频高速数据线（如USB、HDMI）或需双向保护的交流应用。选型时需确保工作电压（VRWM）高于电路正常工作电压，并留有足够裕量，同时配合保险丝或PTC实现过流协同保护。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
品牌	ON Semiconductor
产品目录	半导体
描述	TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 75V 600W Unidirectional
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor P6SMB75AT3G
产品型号	P6SMB75AT3G
产品种类	TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器
击穿电压	71.3 V
商标	ON Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	DO-214AA
尺寸	3.56 mm W x 4.32 mm L
峰值浪涌电流	5.8 A
峰值脉冲功率耗散	600 W
工作电压	64.1 V
工厂包装数量	2500
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 65 C
极性	Unidirectional
端接类型	SMD/SMT
系列	P6SMB6.8AT3G
钳位电压	103 V

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