P6SMB47AT3G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB47AT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB47AT3G价格参考。ON SemiconductorP6SMB47AT3G封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载P6SMB47AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有P6SMB47AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

P6SMB47AT3G是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于SMB（DO-214AA）封装的单向TVS器件，击穿电压典型值为47V（VRWM≈39.5V，VBR=41.8–47.3V，Clamping Voltage Vc≤77V @ 10.4A）。  

其主要应用场景包括：  
- 电源输入端口保护：用于DC电源适配器、工业控制电源、通信设备供电接口，抵御雷击感应浪涌、开关噪声及EFT（电快速瞬变脉冲群）；  
- 信号线/数据线防护：在RS-485、CAN总线、传感器接口等中低压（≤47V系统）线路中，抑制ESD（±30kV接触放电）和浪涌干扰；  
- 消费电子与汽车电子：适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）中非高压（12V/24V系统）的板级ESD与浪涌防护；  
- 工业自动化设备：PLC I/O模块、继电器驱动电路、电机驱动反馈回路等易受感性负载反电动势冲击的节点。  

该器件响应时间快（<1ps）、峰值脉冲功率达600W（10/1000μs波形），具备AEC-Q200认证（部分批次），兼具高可靠性与成本效益，适合空间受限且需基础过压防护的中低速、中低能量场景。注意：不可用于持续过压或反向耐压要求严苛的双向交流应用，需配合保险丝或限流电阻使用以提升系统鲁棒性。

P6SMB47AT3G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB47AT3G由AMI/ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB47AT3G价格参考。AMI/ON SemiconductorP6SMB47AT3G封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载P6SMB47AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有P6SMB47AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

P6SMB47AT3G是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于SMB（DO-214AA）封装的单向TVS器件，击穿电压典型值为47V（VRWM≈39.5V，VBR=41.8–47.3V，Clamping Voltage Vc≤77V @ 10.4A）。  

其主要应用场景包括：  
- 电源输入端口保护：用于DC电源适配器、工业控制电源、通信设备供电接口，抵御雷击感应浪涌、开关噪声及EFT（电快速瞬变脉冲群）；  
- 信号线/数据线防护：在RS-485、CAN总线、传感器接口等中低压（≤47V系统）线路中，抑制ESD（±30kV接触放电）和浪涌干扰；  
- 消费电子与汽车电子：适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）中非高压（12V/24V系统）的板级ESD与浪涌防护；  
- 工业自动化设备：PLC I/O模块、继电器驱动电路、电机驱动反馈回路等易受感性负载反电动势冲击的节点。  

该器件响应时间快（<1ps）、峰值脉冲功率达600W（10/1000μs波形），具备AEC-Q200认证（部分批次），兼具高可靠性与成本效益，适合空间受限且需基础过压防护的中低速、中低能量场景。注意：不可用于持续过压或反向耐压要求严苛的双向交流应用，需配合保险丝或限流电阻使用以提升系统鲁棒性。