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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB160AT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB160AT3G价格参考。ON SemiconductorP6SMB160AT3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载P6SMB160AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有P6SMB160AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
P6SMB160AT3G是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),属于SMB封装的单向TVS系列。其击穿电压典型值为160V(VRWM≈136V,VBR=152–168V),峰值脉冲功率达600W(10/1000μs波形),响应时间小于1ns。 主要应用场景包括: - 电源输入端口防护:用于工业控制、通信设备、安防摄像头等中高压直流供电系统(如24V/48V总线),防止雷击感应浪涌、开关噪声或负载突变引起的瞬态过压损坏后级电路。 - 信号线与接口保护:适用于RS-485、CAN总线、PoE供电线路等对钳位精度和可靠性要求较高的场合,配合共模扼流圈可提升EMC性能。 - 电机驱动与继电器控制回路:吸收感性负载关断时产生的反向电动势(flyback voltage),保护MCU GPIO、驱动IC及光耦等敏感元件。 - 消费电子与家电:在智能电表、空调主控板、LED驱动电源等产品中,作为二级过压防护器件,常与保险丝、压敏电阻(MOV)协同构成多级防护方案。 该器件具备AEC-Q200认证(部分批次),亦适用于汽车电子非安全关键系统(如车身控制模块)。其单向结构适用于直流有极性系统,需注意阴极接高电位方向以实现有效钳位。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 136VWM 219VC SMBTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 160V 600W Unidirectional |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor P6SMB160AT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | P6SMB160AT3G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同频率时的电容 | 140pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SMB |
| 其它名称 | P6SMB160AT3GOSDKR |
| 击穿电压 | 160 V |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
| 封装/箱体 | DO-214AA |
| 尺寸 | 3.56 mm W x 4.32 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 2.7 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 工作电压 | 136 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 152V |
| 电压-反向关态(典型值) | 136V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 219V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 2.7A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | P6SMB6.8AT3G |
| 钳位电压 | 219 V |