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  • 型号: P6SMB160AT3G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB160AT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB160AT3G价格参考。ON SemiconductorP6SMB160AT3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载P6SMB160AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有P6SMB160AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

P6SMB160AT3G是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),属于SMB封装的单向TVS系列。其击穿电压典型值为160V(VRWM≈136V,VBR=152–168V),峰值脉冲功率达600W(10/1000μs波形),响应时间小于1ns。

主要应用场景包括:  
- 电源输入端口防护:用于工业控制、通信设备、安防摄像头等中高压直流供电系统(如24V/48V总线),防止雷击感应浪涌、开关噪声或负载突变引起的瞬态过压损坏后级电路。  
- 信号线与接口保护:适用于RS-485、CAN总线、PoE供电线路等对钳位精度和可靠性要求较高的场合,配合共模扼流圈可提升EMC性能。  
- 电机驱动与继电器控制回路:吸收感性负载关断时产生的反向电动势(flyback voltage),保护MCU GPIO、驱动IC及光耦等敏感元件。  
- 消费电子与家电:在智能电表、空调主控板、LED驱动电源等产品中,作为二级过压防护器件,常与保险丝、压敏电阻(MOV)协同构成多级防护方案。

该器件具备AEC-Q200认证(部分批次),亦适用于汽车电子非安全关键系统(如车身控制模块)。其单向结构适用于直流有极性系统,需注意阴极接高电位方向以实现有效钳位。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护半导体

描述

TVS DIODE 136VWM 219VC SMBTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 160V 600W Unidirectional

产品分类

TVS - 二极管分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor P6SMB160AT3G-

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产品型号

P6SMB160AT3G

PCN组件/产地

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不同频率时的电容

140pF @ 1MHz

产品种类

TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器

供应商器件封装

SMB

其它名称

P6SMB160AT3GOSDKR

击穿电压

160 V

功率-峰值脉冲

600W

包装

Digi-Reel®

单向通道

1

双向通道

-

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

DO-214AA,SMB

封装/箱体

DO-214AA

尺寸

3.56 mm W x 4.32 mm L

峰值浪涌电流

2.7 A

峰值脉冲功率耗散

600 W

工作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

工作电压

136 V

工厂包装数量

2500

应用

通用

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

极性

Unidirectional

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

152V

电压-反向关态(典型值)

136V

电压-箝位(最大值)@Ipp

219V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

2.7A (8/20µs)

电源线路保护

无

端接类型

SMD/SMT

类型

齐纳

系列

P6SMB6.8AT3G

钳位电压

219 V

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