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  • 型号: P2N2369ZL1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供P2N2369ZL1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P2N2369ZL1G价格参考。ON SemiconductorP2N2369ZL1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载P2N2369ZL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有P2N2369ZL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

P2N2369ZL1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款 N沟道增强型MOSFET(单个封装),采用 SOT-23 表面贴装封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 2.5Ω @ VGS = 10V)、低栅极电荷、快速开关特性及高输入阻抗等优势。

其典型应用场景包括:  
✅ 中小功率开关电路:如便携式设备(蓝牙耳机、TWS充电仓、智能手环)中的LED驱动、蜂鸣器控制、电源通断管理;  
✅ 负载开关(Load Switch):用于USB供电路径管理、电池供电系统中对子模块(如传感器、RF收发器)的上电/断电控制,实现低静态电流与快速响应;  
✅ 逻辑电平接口转换:兼容3.3V/5V MCU GPIO直接驱动(VGS(th) 典型值约1.5V),适用于微控制器输出信号放大或驱动稍大电流负载(如继电器线圈、小型电磁阀);  
✅ DC-DC转换辅助电路:在升压/降压拓扑中用作同步整流(低频应用)、使能控制或反馈回路中的有源箝位元件;  
✅ 工业与家电控制板:如小家电(电动牙刷、剃须刀)电机启停、风扇调速、状态指示灯控制等对成本、尺寸和可靠性要求较高的场合。

需注意:该器件额定VDS为60V,ID连续为200mA(TA),不适用于大电流或高压主功率开关场景。设计时建议配合限流电阻与ESD防护,并确保PCB散热满足功耗需求(PD ≤ 350mW)。
产品参数 图文手册 常见问题
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