Datasheet下载- 型号： NZH4V7B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NZH4V7B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NZH4V7B,115价格参考。NXP SemiconductorsNZH4V7B,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NZH4V7B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NZH4V7B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NZH4V7B,115 是 NXP USA Inc.（恩智浦）推出的高精度、低功耗齐纳二极管，标称稳压值为4.7 V（容差±1%），采用SOD-323超小型表面贴装封装。其典型应用场景包括： 1. 精密电压基准与参考源：适用于ADC/DAC参考电压、传感器供电、微控制器复位电路等对电压稳定性要求较高的场合，得益于其低温度系数（约−1.5 mV/°C）和良好长期稳定性。 2. 过压保护与箝位电路：在I/O端口或信号线上用作ESD防护后的二级电压箝位器件，限制瞬态电压不超过4.7 V，保护后级MCU或接口芯片（如I²C、UART引脚）。 3. 低功耗便携设备电源管理：因其极低反向漏电流（典型值<10 nA @ 1 V）和小尺寸，广泛用于可穿戴设备、蓝牙模块、IoT传感器节点中，为低功耗LDO或监控电路提供稳定偏置。 4. 工业控制与汽车电子（AEC-Q200兼容版本需确认）：该器件具备宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C），部分批次符合AEC-Q200标准，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的电压监测与校准电路。 注：实际选型需核查NXP官方数据手册（Rev. 10.0及以上）确认具体等级（如工业级或汽车级）、热阻及ESD耐受能力（HBM ≥8 kV），并注意PCB布局中避免热应力影响稳压精度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123F稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors NZH4V7B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NZH4V7B,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-6369-1 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±3% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD123F |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.9 V |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 电压容差 | 3 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 欧姆 |
| 齐纳电压 | 4.7 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |
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