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产品简介:
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NZH4V3B,115 是 NXP USA Inc. 推出的单齐纳二极管,标称稳压值为 4.3 V(±2%容差),最大功率耗散为 250 mW,采用小型 SOD-123 表面贴装封装。其典型应用场景包括: - 低功耗电压基准与稳压:为微控制器、传感器或ADC/DAC 提供稳定参考电压,尤其适用于电池供电的便携设备(如可穿戴设备、IoT终端),因其低动态阻抗(约 120 Ω)和良好温度稳定性(TC ≈ ±2.5 mV/K)。 - 过压保护与箝位电路:在信号线(如I²C、UART接口)或电源输入端用作ESD/瞬态电压箝位器件,配合TVS或限流电阻,限制电压不超过4.3 V,保护后级敏感IC。 - 简单线性稳压辅助电路:在低压差LDO前级或反馈网络中提供精确分压基准,或用于LED恒流驱动的偏置设定。 - 消费电子与工业控制板:广泛应用于打印机、智能电表、家电主控板等对成本、尺寸和可靠性要求较高的场景,得益于NXP的高良率制造工艺及AEC-Q200兼容性(注:该型号非车规,但具备类似可靠性表现)。 需注意:不适用于大电流稳压(建议工作电流1–10 mA),设计时应校验功耗与散热,并建议添加限流电阻以确保长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123F |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NZH4V3B,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-6368-1 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±3% |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.3V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 40 欧姆 |