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- 型号： NVTJD4105CT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVTJD4105CT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVTJD4105CT1G价格参考。ON SemiconductorNVTJD4105CT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVTJD4105CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVTJD4105CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVTJD4105CT1G 是安森美（onsemi）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-723超小型封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 350mΩ @ VGS = −4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9nC）和低阈值电压（VGS(th) ≈ −0.5V至−1.2V），适合低压、小电流开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其低静态电流与快速关断特性实现高效功耗控制； ✅ LED驱动与背光控制：作为高侧开关控制小型LED灯串或OLED显示屏的局部调光，响应快且无需额外电平转换； ✅ USB端口/接口电源开关：用于Type-C接口的VBUS通断控制，满足USB PD协议对低漏电与快速响应的要求； ✅ 逻辑电平兼容的低压系统：支持1.8V/2.5V/3.3V GPIO直接驱动（因低VGS(th)），适用于MCU或FPGA的I/O扩展开关； ✅ 空间受限的IoT节点：在微型传感器模块中实现电池充放电路径切换或外设供电使能。 注意：该器件额定VDS = −20V，ID = −280mA（连续），不适用于大功率或高压场景。设计时需关注PCB散热及栅极驱动稳定性，避免振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET COMP 20V 0.63A SC-88 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVTJD4105CT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
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