Datasheet下载- 型号： NVTFS4823NTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVTFS4823NTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVTFS4823NTAG价格参考。ON SemiconductorNVTFS4823NTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVTFS4823NTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVTFS4823NTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVTFS4823NTAG是安森美（ON Semiconductor）生产的一款单N沟道MOSFET，属于功率MOSFET产品系列。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优良的热性能，适用于需要高效开关和功率管理的应用场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、同步整流、降压（Buck）和升压（Boost）转换电路中，提升电源转换效率。 2. 负载开关：在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中作为电源开关，控制电池供电的通断，降低待机功耗。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供快速开关响应和低损耗控制。 4. 热插拔电路：用于服务器、通信设备等需要带电插拔的系统中，防止电流冲击，保护后级电路。 5. LED驱动：在中高功率LED照明系统中作为开关元件，实现高效恒流控制。 6. 消费类与工业电子产品：如电源适配器、充电器、UPS不间断电源等，用于提高整体能效并减小系统体积。 该MOSFET采用紧凑型封装（如PowerPAK SO-8），具备良好的散热性能，适合空间受限但对功率密度要求较高的设计。其耐压等级为30V，适合低压大电流应用，综合性能优异，是现代高效能电子系统中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFNMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVTFS4823NTAG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVTFS4823NTAG |
| Pd-PowerDissipation | 21 W |
| Pd-功率耗散 | 21 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | WDFN-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 34 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta） |
| 系列 | NVTFS4823N |
| 配置 | Single |
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