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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NVMS10P02R2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMS10P02R2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMS10P02R2G价格参考￥4.08-￥4.08。ON SemiconductorNVMS10P02R2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMS10P02R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMS10P02R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NVMS10P02R2G是一款P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为0.12Ω @ Vgs = –4.5V）、小尺寸、高可靠性及AEC-Q101汽车级认证。其主要应用场景包括： 1. 汽车电子：广泛用于车身控制模块（如车窗升降、座椅调节、LED尾灯/氛围灯调光）、雨刷电机驱动、电源管理单元（PMU）中的负载开关与反向电流保护；得益于AEC-Q101认证和–55°C至+150°C宽温工作范围，适用于严苛车载环境。 2. 便携式设备电源管理：在智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中作为电池保护电路（过放/过流保护）、USB端口电源开关或背光LED驱动的高效开关器件，利用其低功耗和快速开关特性延长续航。 3. 工业与消费类负载开关：用于DC-DC转换器后级负载切换、传感器供电控制、IoT节点电源时序管理等，支持逻辑电平驱动（–2.5V即可完全导通），兼容3.3V/5V MCU直接控制。 4. 反向电压/极性保护电路：因P-MOSFET天然适合作为高边开关，常用于输入端防接反保护，防止电源误接损坏后级电路。 综上，NVMS10P02R2G凭借小体积、汽车级可靠性及优异电气性能，特别适用于空间受限、需高可靠性的中低压（≤20V）功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NVMS10P02R2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A |
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