Datasheet下载- 型号： NTUD3127CT5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTUD3127CT5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTUD3127CT5G价格参考。ON SemiconductorNTUD3127CT5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTUD3127CT5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTUD3127CT5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTUD3127CT5G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用超小型SOT-563（SC-88）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约220 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、低栅极电荷及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电源路径控制，利用其双P-MOSFET结构实现高效、紧凑的反向电流阻断和电池供电切换。 2. USB接口保护与限流控制：在USB Type-C或传统USB端口中，作为过压/过流保护电路中的背对背MOSFET配置（配合外部驱动），防止反向馈电并支持热插拔。 3. LED驱动与背光控制：用于小型LCD/OLED显示屏的LED背光调光电路，通过PWM控制双路独立关断，提升能效与响应速度。 4. 逻辑电平转换与信号门控：在低功耗微控制器（如ARM Cortex-M系列）I/O口驱动能力不足时，用作双向电平移位或使能开关，控制外围模块供电。 5. 空间受限的DC-DC辅助电路：在同步降压转换器中，可作为高边驱动的电平移位/自举开关辅助器件，或用于电源时序控制（Power Sequencing）。 该器件支持–55°C至+150°C工作温度范围，符合AEC-Q101（部分批次），亦适用于工业传感器节点与汽车电子后装模块等严苛环境。其小尺寸与双集成设计显著节省PCB面积，降低系统成本与布板复杂度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NTUD3127CT5G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 125mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 160mA，140mA |
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