Datasheet下载- 型号： NTTS2P03R2
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTTS2P03R2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTS2P03R2价格参考。ON SemiconductorNTTS2P03R2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTTS2P03R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTTS2P03R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTTS2P03R2 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型Trench MOSFET，采用小型SOT-23封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅32 mΩ @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷及快速开关特性。其额定电压为–30 V，连续漏极电流达–2.0 A（Tc=25°C），适合低压、小功率、空间受限的应用场景。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，用于实现低功耗启停控制； 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为同步整流管，提升转换效率； 3. 反向电压/极性保护电路：利用P-MOSFET的体二极管方向与导通特性，防止电源反接损坏后级IC； 4. LED驱动与背光控制：用于中小电流LED的PWM调光开关，响应快、损耗低； 5. 逻辑电平转换与接口保护：配合微控制器GPIO驱动，实现3.3V/5V系统中的高边开关控制。 其SOT-23封装便于高密度PCB布局，且无需额外散热器，适用于消费类、工业传感器节点及IoT终端等对尺寸、能效和可靠性要求较高的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTTS2P03R2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 2.48A，10V |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 其它名称 | NTTS2P03R2OS |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.48A （Ta） |
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