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- 型号： NTQD6866R2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTQD6866R2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTQD6866R2价格参考。ON SemiconductorNTQD6866R2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTQD6866R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTQD6866R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTQD6866R2 是安森美（onsemi）出品的双通道N沟道增强型MOSFET阵列（采用SO-8封装），内置两个匹配度高、低导通电阻（Rds(on)典型值仅28mΩ @ Vgs=4.5V）的功率MOSFET。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的上下管驱动，提升效率并减小发热，适用于笔记本电脑、平板、机顶盒等便携式设备的板载电源管理。 2. 负载开关与电源路径管理：支持快速、低损耗的电源切换，广泛用于USB供电管理、电池充放电路径控制及热插拔保护电路。 3. H桥电机驱动：双N沟道结构配合外部自举电路或半桥驱动IC，可构建小型直流有刷电机驱动模块（如风扇、微型泵、光驱托盘驱动），实现正反转与PWM调速。 4. LED背光驱动与电流调节：在中小尺寸LCD背光系统中用作LED串的高侧/低侧开关，配合恒流控制器实现亮度调节。 该器件具备ESD保护（HBM 2kV）、100% Rg测试、逻辑电平兼容（Vgs(th)低至1.0–2.2V），适合3.3V/5V MCU直接驱动，兼具高集成度与可靠性，适用于空间受限、能效要求较高的消费电子与工业控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTQD6866R2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 6.9A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | NTQD6866R2OS |
| 功率-最大值 | 940mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.7A |
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