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- 型号： NTP65N02R
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP65N02R由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP65N02R价格参考。ON SemiconductorNTP65N02R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTP65N02R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTP65N02R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTP65N02R 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值2.0 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=65A）和耐压20V等特点。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步整流BUCK转换器、POL（负载点）电源模块中，提升效率并降低温升； - 电机驱动电路：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或单边开关驱动，如电动工具、风扇、打印机等； - 电池管理系统（BMS）：作为充放电保护开关或均衡开关，利用其低Rds(on)减少功耗与发热； - LED照明驱动：用于恒流调光或PWM调光开关，支持高频开关（典型fSW可达数百kHz）； - 工业控制与电源开关：如PLC输出模块、继电器替代、电子保险丝等需高可靠性通断控制的场合。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS额定），适合存在感性负载或电压尖峰的环境。需注意：实际应用中应合理设计栅极驱动（推荐10–12V驱动以确保充分导通）、加装散热片，并配合RC缓冲电路或TVS抑制关断电压尖峰。不适用于高压（>20V母线）或高频谐振拓扑（如LLC）主开关。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTP65N02R |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1330pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | NTP65N02ROS |
| 功率-最大值 | 1.04W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A （Ta）， 58A （Tc） |
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