Datasheet下载- 型号： NTMSD3P102R2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMSD3P102R2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMSD3P102R2价格参考。ON SemiconductorNTMSD3P102R2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMSD3P102R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMSD3P102R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMSD3P102R2 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为10.2 mΩ @ Vgs = –10 V）、额定电压–20 V、连续漏极电流–12 A（Tc = 25°C），具备ESD保护与逻辑电平驱动能力（Vgs(th)约–1.0 V至–2.5 V），适合3.3 V/5 V微控制器直接驱动。 其典型应用场景包括： ✅ 负载开关：广泛用于便携式设备（如智能手机、平板、TWS耳机）的电源域管理，实现USB接口、显示屏背光、传感器等模块的高效启停控制，降低待机功耗； ✅ 电池保护与反向电流阻断：在单节锂电（≤4.2 V）供电系统中，作为充电路径或放电回路中的理想二极管替代器件，防止电池反向放电或充放电冲突； ✅ H桥/半桥驱动的高边开关：配合N沟道MOSFET构成DC-DC同步整流或有刷电机驱动电路，提供紧凑、低损耗的高边控制方案； ✅ 热插拔与电源排序电路：利用其快速开关特性与低导通压降，保障板级电源上电时序与浪涌电流抑制。 该器件强调高能效、小尺寸与高可靠性，适用于空间受限、对功耗敏感的消费电子、工业控制及物联网终端设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMSD3P102R2 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FETKY™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 3.05A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMSD3P102R2OS |
| 功率-最大值 | 730mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.34A （Ta） |
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