Datasheet下载- 型号： NTMS4917NR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4917NR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4917NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMS4917NR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMS4917NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS4917NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMS4917NR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 10.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高阈值电压（VGS(th) 典型值2.5 V）、额定电压30 V、连续漏极电流达12 A（TC = 25°C），具备良好的热性能与雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的主开关或同步整流管，提升效率（尤其在12 V/5 V输入、负载电流数安培的中等功率场景）； ✅ 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、平板、机顶盒等便携/嵌入式设备中，用作USB端口、背光LED或模块供电的高效、低损耗电子开关； ✅ 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、打印机进纸机构）的H桥或单路驱动，支持PWM调速； ✅ 电池保护与充电电路：在锂电池管理系统（BMS）或快充模块中，作为充放电路径控制开关，配合保护IC实现过流/反接防护； ✅ 工业与消费类电源：如LED驱动电源、PoE受电设备（PD）的输入侧开关、智能插座的固态继电器替代方案。 该器件具备ROHS合规、无卤素、AEC-Q101可靠性认证（部分批次），亦适用于对可靠性要求较高的汽车电子辅助系统（如车身控制模块）。其SO-8封装便于布局与散热，适合空间受限且需兼顾性能与成本的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FLMOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.1 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMS4917NR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMS4917NR2G |
| Pd-PowerDissipation | 1.28 W |
| Pd-功率耗散 | 1.28 W |
| Qg-GateCharge | 15.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 6.3 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1054pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 880mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.1A （Ta） |
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