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- 型号： NTMFS4923NET3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4923NET3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4923NET3G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4923NET3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMFS4923NET3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4923NET3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4923NET3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8FL（PowerTDFN）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.8mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID可达120A）及优异的热性能。 其主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； ✅ 负载开关与热插拔电路：凭借低Rds(on)和快速开关特性，适用于主板VRM、GPU供电模块及热插拔保护电路； ✅ 电机驱动：适用于中小功率BLDC电机的H桥或半桥驱动，如风扇、泵、电动工具控制； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制、反向电流保护及电池保护IC的外置功率开关； ✅ LED照明驱动：在高效率恒流驱动电路中作为PWM调光开关或主功率开关。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.2–2.2V），兼容3.3V/5V MCU直接控制；具备强雪崩耐量与RoHS合规封装，适合高可靠性、高功率密度设计。典型应用环境为通信基站、数据中心电源、工业自动化及汽车电子（非车规级，需注意AEC-Q认证状态——本型号未通过AEC-Q101，故不推荐用于安全关键车载系统）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMFS4923NET3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4850pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.3 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 其它名称 | NTMFS4923NET3GOSDKR |
| 功率-最大值 | 930mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘（5 根引线） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12.7A （Ta）， 91A （Tc） |
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