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产品简介:
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NTMFS4121NT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用SO-8FL(PowerTDFN)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅2.6 mΩ @ Vgs=10V)、高电流能力(ID最大60A)及优异的热性能。其主要应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器,提升效率并降低温升; 2. 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、主板VRM、GPU供电等场景中,作为高效、快速响应的主开关或ORing FET; 3. 电池保护与热插拔电路:凭借低Rds(on)和强雪崩耐受能力,适用于便携设备/基站电源的过流/短路保护模块; 4. 电机驱动与LED驱动:适用于中小功率BLDC驱动H桥下管,以及高亮度LED恒流驱动的PWM调光开关; 5. 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101标准(该型号为工业级,但同系列有车规版本),可用于ADAS电源、车身控制模块等非安全关键应用。 其紧凑封装与高功率密度特性,特别适合空间受限、对能效与散热要求严苛的中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 17A 30V SO-8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMFS4121NT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.25 毫欧 @ 24A,10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
| 其它名称 | NTMFS4121NT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta) |