Datasheet下载- 型号： NTMD6P02R2SG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD6P02R2SG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD6P02R2SG价格参考。ON SemiconductorNTMD6P02R2SG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMD6P02R2SG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMD6P02R2SG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD6P02R2SG 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = −4.5 V）、逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU）、高可靠性及热性能优化等特点。 其典型应用场景包括： ✅ 电源管理：用于笔记本电脑、平板、便携式设备中的负载开关或电源路径管理，支持双路独立控制，实现主辅电源切换或电池充放电保护。 ✅ 背光LED驱动：在LCD背光电路中作为PWM调光开关，双MOSFET可分别控制不同LED串，提升能效与响应速度。 ✅ H桥/半桥驱动辅助电路：常与N沟道MOSFET搭配构成同步整流或电机驱动的上桥臂（尤其适用于低压、小功率直流电机或步进电机的反向制动/方向控制）。 ✅ 热插拔与USB端口保护：配合限流IC，提供过流/短路保护及软启动功能，保障接口安全。 ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）拓扑中作同步整流管（需外部驱动时序），提升转换效率（尤其在12V→3.3V/5V等中低压应用中）。 该器件集成度高、节省PCB面积，适合空间受限、需双路互补控制且强调能效与可靠性的中低功率（<2A连续电流）嵌入式系统。注意设计时需合理布局散热路径，并确保栅极驱动电压满足−4.5V至−12V要求以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CHAN 7.8A 20V 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMD6P02R2SG |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A |
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