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- 型号： NTMD3N08LR2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD3N08LR2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD3N08LR2价格参考。ON SemiconductorNTMD3N08LR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMD3N08LR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMD3N08LR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD3N08LR2 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道增强型MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 75 mΩ @ VGS = 10 V）、额定电压80 V、连续漏极电流达3.5 A（单通道），适合中低压、中功率开关应用。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：用于同步降压（Buck）转换器的高/低侧开关，提升效率并减小散热需求； ✅ 电机驱动电路：如小型直流风扇、步进电机或BLDC驱动中的H桥半桥单元，双MOSFET结构便于紧凑布局； ✅ 负载开关与电源管理：在便携设备（如打印机、POS终端、工业控制器）中实现多路电源的独立通断控制； ✅ LED背光/照明驱动：配合PWM调光，高效控制中功率LED串的电流通断； ✅ 电池保护与热插拔电路：利用其快速开关特性及内置ESD保护，实现过流/反向电流防护。 该器件集成双管、共源极结构，节省PCB面积，降低寄生电感，适用于空间受限且需高可靠性设计的工业与消费类电子设备。注意实际应用中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、提供足够散热（尤其在持续导通工况下），并确保VGS驱动电压满足阈值要求（典型VGS(th)为2–4 V）。
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