Datasheet下载- 型号： NTLJS4149PTBG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJS4149PTBG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJS4149PTBG价格参考。ON SemiconductorNTLJS4149PTBG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJS4149PTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJS4149PTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJS4149PTBG 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型无铅封装（X2DFN-2），尺寸仅0.6×0.3×0.3 mm，具备低导通电阻（Rds(on)典型值为180 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.7 nC）和低阈值电压（Vgs(th)：–0.5 V至–1.2 V），适合低功耗、空间受限的便携式电子设备。 其典型应用场景包括： ✅ 电池供电设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备（智能手表/手环）中的电池保护电路或负载开关，利用其低静态电流与快速开关特性实现高效启停控制； ✅ 反向电流阻断与电源路径管理：在USB Type-C接口、移动电源或PMIC中用作理想二极管替代方案，防止电池反向放电； ✅ 低压逻辑电平驱动电路：兼容1.8 V/2.5 V/3.3 V MCU GPIO直接驱动（因低Vgs(th)），适用于LED背光控制、传感器模块供电开关等； ✅ 空间敏感型DC-DC转换器：作为同步整流或辅助开关，提升微型降压/升降压模块效率（尤其在<1 A负载场景）。 该器件不适用于高功率或高温工业环境（额定连续漏极电流仅0.5 A，结温上限150℃），设计时需注意PCB散热及ESD防护。总体定位为高性能、微型化消费类电子中的精密电源开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJS4149PTBG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 62 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NTLJS4149PTBG 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商