Datasheet下载- 型号： NTLJS4149PTAG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJS4149PTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJS4149PTAG价格参考。ON SemiconductorNTLJS4149PTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJS4149PTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJS4149PTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJS4149PTAG 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型无引脚封装（X2-DFN0.6x0.3-3），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅85mΩ @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.3nC）和极低的阈值电压（Vgs(th)：–0.3V至–1.0V），支持1.2V逻辑电平驱动。 其主要应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关，利用其超小尺寸与低静态功耗实现高效电池供电路径控制； ✅ 电池保护与反向电流阻断：在单节锂电（2.5–5.5V）系统中，作为理想二极管或充电/放电回路中的背对背开关，防止电池反接或休眠时漏电； ✅ LED驱动与小型DC-DC模块：适用于低压同步降压转换器的高边或低边开关（需配合驱动设计），或驱动白光LED背光/指示灯； ✅ IoT传感器节点与可穿戴设备：凭借微功耗特性（IDSS < 100nA）和宽温度范围（–55°C ~ +150°C），适用于长期待机的无线传感终端。 该器件不适用于大电流（连续ID仅0.7A，脉冲1.4A）或高压（VDS = –20V）主功率场景，但凭借微型封装、低驱动要求和高可靠性，在空间与能效敏感的消费类及工业边缘节点中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJS4149PTAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 62 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
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