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- 型号： NTLJS3180PZTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJS3180PZTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJS3180PZTAG价格参考。ON SemiconductorNTLJS3180PZTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJS3180PZTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJS3180PZTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJS3180PZTAG 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用微型TSOP-6封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 42 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.5 nC）及快速开关特性。其额定电压为−20 V，连续漏极电流达−3.5 A（TS = 25°C），适合低压、中电流、高效率的电源管理场景。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备的负载开关：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的电池保护电路或外设供电控制，利用其低RDS(on)和小尺寸实现高效启停与功耗优化； 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为同步整流管，提升转换效率（尤其在12 V/5 V→3.3 V/1.8 V等低压输出级）； 3. USB Type-C接口过压/反向电流保护：配合控制器实现反向电流阻断（Reverse Current Blocking），防止电池倒灌； 4. LED驱动与背光控制：用于中小功率LED的PWM调光开关，响应快、发热低； 5. H桥驱动中的高边开关（需电平移位）或逻辑电平兼容的低侧开关，适用于微型电机、振动马达等驱动。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) ≈ −0.7 V至−1.3 V），可直接由MCU GPIO（如1.8 V/3.3 V）控制，无需额外驱动电路，显著简化设计并节省PCB空间。其无铅、符合RoHS且通过AEC-Q101可靠性认证（部分批次），亦适用于车规级辅助系统（如车载USB充电模块）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJS3180PZTAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
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